Datasheet下载- 型号： BLF6G22L-40BN,112
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G22L-40BN,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G22L-40BN,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G22L-40BN,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF6G22L-40BN,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF6G22L-40BN,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF6G22L-40BN,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件工作频率范围覆盖从 HF 到 VHF/UHF 波段，典型应用包括工业、科学和医疗（ISM）频段的射频能量系统，如感应加热、介质加热和等离子发生设备。此外，它也广泛应用于广播领域的调幅（AM）和调频（FM）发射机中，提供高效率和高可靠性。在无线通信基础设施中，该器件适用于陆地移动无线电（LMR）和公共安全通信基站，支持高线性度与稳定输出。其陶瓷封装设计具备优良的散热性能和环境耐受性，适合长时间连续波（CW）运行。整体上，BLF6G22L-40BN 特别适用于需要高输出功率（可达400W以上）、高效率和高稳定性的射频功率放大场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT1112A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF6G22L-40BN,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934064313112 |
| 功率-输出 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19dB |
| 封装/外壳 | SOT-1112A |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 345mA |
| 频率 | 2.11GHz ~ 2.17GHz |
| 额定电流 | 10A |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
BLF6G22L-40BN,112 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商