Datasheet下载- 型号： BLL6G1214L-250,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLL6G1214L-250,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLL6G1214L-250,112价格参考。NXP SemiconductorsBLL6G1214L-250,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLL6G1214L-250,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLL6G1214L-250,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 的 BLL6G1214L-250,112 是一款高性能射频MOSFET晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）技术，工作频率范围覆盖从DC到约1.4 GHz，适合在高效率、高线性度要求的场景中使用。 其主要应用场景包括： 1. 广播发射系统：广泛用于FM广播和数字音频广播（DAB）发射机中的高功率射频放大级，提供稳定的大信号输出能力。 2. 工业、科学和医疗（ISM）设备：适用于915 MHz等ISM频段的射频能量应用，如射频加热、等离子体生成和医疗射频治疗设备。 3. 无线基础设施：可用于基站和通信中继系统的功率放大器模块，支持多种调制格式，满足现代通信对高能效和可靠性的需求。 4. 航空与国防：在雷达系统、电子战设备和战术通信系统中作为高可靠性射频功率放大元件。 BLL6G1214L-250,112 采用先进的封装技术，具备良好的热稳定性和功率处理能力，可在高电压（典型漏极电压28V或50V）条件下持续输出高达250W的射频功率。其高增益和优异的互调失真性能使其在多载波、宽带信号环境中仍能保持良好线性度。 总体而言，该器件适用于需要高功率、高效率和高可靠性的射频放大场合，尤其适合专业级通信与工业系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR LDMOST |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLL6G1214L-250,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 934066063112 |
| 功率-输出 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | SOT-502A |
| 晶体管类型 | - |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | - |
| 电压-额定 | - |
| 电流-测试 | - |
| 频率 | - |
| 额定电流 | - |
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