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产品简介:
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NXP USA Inc.生产的MRF5S9080NBR1是一款射频(RF)MOSFET晶体管,主要应用于高频功率放大器和射频通信领域。以下是其典型应用场景: 1. 无线通信设备 - 该型号适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。它能够处理高频率信号(通常在VHF至GHz范围),并提供高效的功率输出。 - 在蜂窝网络(如2G、3G、4G甚至部分5G应用)中,用于增强信号覆盖范围和传输效率。 2. 广播系统 - 用于FM/AM广播发射机的功率放大阶段,支持高质量音频信号的远距离传输。 - 其高功率处理能力和低失真特性使其成为广播行业的理想选择。 3. 工业、科学和医疗(ISM)应用 - 在ISM频段(如2.4GHz或更高频率)中,该器件可用于微波加热、等离子体生成或其他需要高功率射频能量的应用。 - 例如,用于医疗设备中的射频消融或物理治疗仪器。 4. 航空与国防 - MRF5S9080NBR1因其可靠性和高性能,常用于雷达系统、卫星通信和军用无线电设备中。 - 它可以满足严苛环境下的工作需求,如高温、振动和电磁干扰。 5. 测试与测量设备 - 在射频信号发生器、频谱分析仪等测试设备中,作为功率放大器的核心组件,确保信号的稳定性和精确性。 性能特点 - 高功率输出:适合需要大功率射频信号的应用。 - 宽频带操作:支持多种频率范围,适应不同场景需求。 - 高效能设计:降低能耗,减少热量产生。 - 耐用性强:能够在恶劣环境下保持稳定运行。 总之,MRF5S9080NBR1是一款专为射频功率放大设计的高性能MOSFET,广泛应用于通信、广播、工业以及国防等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-272-4 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Freescale Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MRF5S9080NBR1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
功率-输出 | 90W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 18.5dB |
封装/外壳 | TO-272BB |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 500 |
电压-测试 | 26V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 600mA |
频率 | 960MHz |
额定电流 | 10µA |