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  • 型号: MRF5S9080NBR1
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S9080NBR1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S9080NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S9080NBR1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF5S9080NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF5S9080NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRF5S9080NBR1是一款射频(RF)MOSFET晶体管,主要应用于高频功率放大器和射频通信领域。以下是其典型应用场景:

 1. 无线通信设备
   - 该型号适用于基站、中继站和其他无线通信设备中的射频功率放大器。它能够处理高频率信号(通常在VHF至GHz范围),并提供高效的功率输出。
   - 在蜂窝网络(如2G、3G、4G甚至部分5G应用)中,用于增强信号覆盖范围和传输效率。

 2. 广播系统
   - 用于FM/AM广播发射机的功率放大阶段,支持高质量音频信号的远距离传输。
   - 其高功率处理能力和低失真特性使其成为广播行业的理想选择。

 3. 工业、科学和医疗(ISM)应用
   - 在ISM频段(如2.4GHz或更高频率)中,该器件可用于微波加热、等离子体生成或其他需要高功率射频能量的应用。
   - 例如,用于医疗设备中的射频消融或物理治疗仪器。

 4. 航空与国防
   - MRF5S9080NBR1因其可靠性和高性能,常用于雷达系统、卫星通信和军用无线电设备中。
   - 它可以满足严苛环境下的工作需求,如高温、振动和电磁干扰。

 5. 测试与测量设备
   - 在射频信号发生器、频谱分析仪等测试设备中,作为功率放大器的核心组件,确保信号的稳定性和精确性。

 性能特点
- 高功率输出:适合需要大功率射频信号的应用。
- 宽频带操作:支持多种频率范围,适应不同场景需求。
- 高效能设计:降低能耗,减少热量产生。
- 耐用性强:能够在恶劣环境下保持稳定运行。

总之,MRF5S9080NBR1是一款专为射频功率放大设计的高性能MOSFET,广泛应用于通信、广播、工业以及国防等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-272-4

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MRF5S9080NBR1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

TO-272 WB-4

功率-输出

90W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

18.5dB

封装/外壳

TO-272BB

晶体管类型

LDMOS

标准包装

500

电压-测试

26V

电压-额定

65V

电流-测试

600mA

频率

960MHz

额定电流

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