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  • 型号: BLF6G38-50,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF6G38-50,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF6G38-50,135价格参考。NXP SemiconductorsBLF6G38-50,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF6G38-50,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF6G38-50,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 是一家专注于射频(RF)功率解决方案的半导体公司,其产品广泛应用于通信、工业和医疗等领域。型号为 BLF6G38-50,135 的晶体管是一款射频功率 MOSFET 器件,属于晶体管 - FET,MOSFET - 射频类别。

BLF6G38-50,135 主要设计用于在 50MHz 至 6GHz 的频率范围内工作,具备高功率密度和高效率的特性,适用于多种射频功率放大场景。其典型应用场景包括:

1. 无线通信基站:用于4G/5G移动通信基站的射频功率放大器中,提供高线性度和高效率的信号放大,支持高速数据传输。
2. 广播发射系统:在数字广播(如DAB、HD Radio)和电视广播发射机中作为主功率放大器件。
3. 工业与医疗设备:用于射频加热、等离子体生成、医疗射频治疗设备中的功率放大与控制。
4. 测试与测量设备:在射频信号发生器、功率放大器模块等测试设备中提供稳定可靠的射频输出。
5. 军事与航空航天:适用于雷达系统、通信中继设备等对可靠性要求高的领域。

该器件采用先进的LDMOS技术,具备良好的热稳定性和高耐用性,适合在高功率和高温环境下运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANS WIMAX PWR LDMOS SOT502A

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF6G38-50,135

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

LDMOST

其它名称

934061173135

功率-输出

9W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

14dB

封装/外壳

SOT-502A

晶体管类型

LDMOS

标准包装

300

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

450mA

频率

3.4GHz ~ 3.6GHz

额定电流

16.5A

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