Datasheet下载- 型号： BLA6G1011L-200RG,1
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLA6G1011L-200RG,1由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLA6G1011L-200RG,1价格参考。NXP SemiconductorsBLA6G1011L-200RG,1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLA6G1011L-200RG,1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLA6G1011L-200RG,1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLA6G1011L-200RG,1 是 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管，主要应用于高功率射频放大器场合。该器件适用于工作频率在 UHF 到微波频段的通信系统，如蜂窝基站、广播发射机、工业加热设备以及射频测试与测量设备等。其高功率输出能力、良好的热稳定性和宽带工作特性，使其在需要高可靠性和高效率的射频功率放大应用中表现出色。此外，该 MOSFET 可用于 D 类或 E 类功率放大器设计，适合在高电压条件下运行，具备较强的耐用性和抗负载失配能力，广泛用于专业级射频能量应用和无线基础设施领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PWR LDMOS 200W SOT502 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLA6G1011L-200RG,1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | LDMOST |
| 其它名称 | 568-8530 |
| 功率-输出 | 200W |
| 包装 | 散装 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-502D |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| 额定电流 | 49A |
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