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Datasheet下载- 型号： RFM01U7P(TE12L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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RFM01U7P(TE12L,F)产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RFM01U7P(TE12L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RFM01U7P(TE12L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.RFM01U7P(TE12L,F)封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 7.2V 100mA 520MHz 10.8dB 1.2W PW-MINI。您可以下载RFM01U7P(TE12L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RFM01U7P(TE12L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 RFM01U7P(TE12L,F) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌射频 MOSFET 晶体管，主要应用于 射频功率放大 领域。该器件适用于 无线通信系统、射频模块、便携式通信设备及射频测试设备 等场景。 该MOSFET晶体管具备良好的高频性能和高可靠性，适合用于 射频信号放大，尤其在 低电压、低功耗 的应用中表现优异。常见用途包括： - 移动通信设备：如智能手机、无线路由器中的射频前端模块； - 射频识别（RFID）系统：用于信号的发射与增强； - 无线传感器网络：作为射频信号的放大元件； - 射频测试仪器：如信号发生器或频谱分析仪中的功率放大单元； - 工业与消费类射频设备：如蓝牙、Wi-Fi、Zigbee等短距离通信模块。 该器件采用小型封装，便于在空间受限的设备中使用，同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力，适合高密度电路设计。由于其优良的射频性能，该晶体管在现代无线通信系统中具有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH PW-MINI |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | RFM01U7P(TE12L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PW-MINI |
| 其它名称 | RFM01U7P(TE12LF)CT |
| 功率-输出 | 1.2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10.8dB |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 7.2V |
| 电压-额定 | 20V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 520MHz |
| 额定电流 | 1A |
