Datasheet下载- 型号： MRF5S19060NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF5S19060NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF5S19060NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF5S19060NR1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF5S19060NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF5S19060NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF5S19060NR1的射频MOSFET晶体管，主要应用于无线通信领域的射频功率放大。该器件由NXP USA Inc.生产，属于高性能射频场效应晶体管（RF MOSFET），适用于需要高线性度、高效率和稳定性能的射频系统。 具体应用场景包括： 1. 基站设备：广泛用于移动通信基站中的功率放大模块，支持2G、3G、4G甚至部分5G应用，尤其适合多载波通信系统。 2. 广播系统：可用于FM广播或电视广播发射机中，作为射频信号放大的关键元件。 3. 工业与商业通信设备：如专网通信系统（TETRA、iDEN等）和点对点微波通信系统中的发射单元。 4. 测试与测量仪器：在射频测试设备中作为功率源或放大器使用。 5. 雷达与航空航天领域：用于某些低功率雷达系统或航空通信系统中，提供稳定的射频输出。 该器件采用先进的LDMOS技术制造，具备良好的热稳定性和高增益特性，能够在较高频率范围内工作（如UHF至2GHz以上），并支持宽带宽操作，适用于多种调制方式，如QAM、OFDM等。其封装形式RFPB-N-14A支持高效的散热管理，确保在高功率条件下稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 12W 28V TO-270-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF5S19060NR1 |
| PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15548.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
| 其它名称 | MRF5S19060NR1CT |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14dB |
| 封装/外壳 | TO-270AB |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 750mA |
| 频率 | 1.99GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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