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  • 型号: BLF7G20LS-250P,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G20LS-250P,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G20LS-250P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G20LS-250P,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF7G20LS-250P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF7G20LS-250P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF7G20LS-250P,118 是一款高功率 LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)射频(RF)MOSFET 晶体管,广泛应用于高功率射频放大器设计中。该器件特别适用于工作频率在 1.8 GHz 至 2.4 GHz 范围内的无线通信系统,如 4G LTE、5G 基础设施、广播系统和工业、科学及医疗(ISM)频段设备。

BLF7G20LS-250P,118 可提供高达 250W 的连续波(CW)输出功率,在射频基站、广播发射机和高功率放大模块中常用于驱动级或最终放大级。其高效率和良好的热稳定性使其适合在高负载条件下长时间运行,适用于需要高可靠性和高性能的通信基础设施。

此外,该器件也可用于测试设备、雷达系统和专业通信系统中,作为射频信号放大的关键组件。由于其封装设计便于散热和集成,因此在需要高功率密度和高线性度的应用中尤为受欢迎。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF7G20LS-250P,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

CDFM4

其它名称

934064457118

功率-输出

70W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

18dB

封装/外壳

SOT539B

晶体管类型

LDMOS

标准包装

100

电压-测试

28V

电压-额定

65V

电流-测试

1.9A

频率

1.81GHz ~ 1.88GHz

额定电流

37.54A

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