Datasheet下载- 型号： MRF8S21120HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21120HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21120HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21120HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21120HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21120HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S21120HR3 是 NXP Semiconductors 推出的高性能射频 LDMOS MOSFET，专为 2.1–2.2 GHz 频段（如 WCDMA、LTE 和 5G Sub-6 GHz 基站）设计。其典型应用场景包括： - 宏基站功率放大器（PA）：适用于蜂窝通信基础设施中的多载波、高效率末级功放，支持高达 120 W 的峰值输出功率（P3dB），具备优异的线性度与热稳定性。 - 宽带无线接入系统：可用于 WiMAX、小型基站（Small Cell）及分布式天线系统（DAS）中的射频发射链路，满足高增益（典型17 dB）、高效率（>55% 漏极效率）和宽瞬时带宽需求。 - 测试与仪表设备：作为信号源或功率激励模块，用于射频一致性测试、EMC预兼容测试等场景，得益于其良好的匹配特性与坚固的ESD/雪崩耐受能力。 该器件采用气腔陶瓷封装（NI-780H），支持风冷或液冷散热，内置输入/输出匹配电路，简化PCB设计；支持AB类偏置，兼容数字预失真（DPD）技术，显著提升系统能效与频谱纯度。广泛应用于全球主流通信设备商的4G/5G基站射频单元中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S21120HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.6dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 850mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
MRF8S21120HR3 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商