Datasheet下载- 型号： MRF8S21120HR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S21120HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S21120HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S21120HR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S21120HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S21120HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为MRF8S21120HR3、品牌为NXP USA Inc.的射频MOSFET晶体管，主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在800MHz至1GHz之间的无线通信系统，如蜂窝基站、广播发射机和工业设备中的射频能量放大模块。 该器件采用高耐用性封装技术，具备良好的热稳定性和可靠性，适合长时间运行的高功率场景。其设计支持高效率和线性放大性能，使其成为4G LTE、移动通信基础设施及数字广播系统中理想的射频功率放大器元件。 此外，MRF8S21120HR3也适用于需要高增益、低失真的射频发射设备，例如测试仪器、雷达模拟器和专用无线电通信系统。由于其出色的射频特性和坚固的设计，该器件广泛用于对稳定性与输出功率要求较高的工业和通信应用中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF N-CH 2.1GHZ 28V NI780H |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MRF8S21120HR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780 |
| 功率-输出 | 28W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17.6dB |
| 封装/外壳 | NI-780 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 250 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 850mA |
| 频率 | 2.17GHz |
| 额定电流 | - |
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