Datasheet下载- 型号： MRF175LU
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF175LU由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF175LU价格参考。M/A-COMMRF175LU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF175LU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF175LU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
M/A-Com Technology Solutions（现为MACOM）的MRF175LU是一款射频功率MOSFET晶体管，广泛应用于射频和微波通信领域。该器件特别适用于需要高功率放大能力的场景。 MRF175LU的主要应用场景包括： 1. 广播系统：如调频（FM）和电视广播发射机中的射频功率放大，用于增强信号传输距离和覆盖范围。 2. 工业与通信设备：用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、中继器和点对点微波通信系统中的射频功率放大模块。 3. 测试与测量设备：在射频信号发生器、频谱分析仪等测试仪器中作为功率放大元件，确保输出信号强度满足测试需求。 4. 军事与航空航天：用于雷达系统、电子对抗设备和卫星通信系统中，提供高稳定性和高可靠性的射频功率输出。 5. 业余无线电：被广泛用于业余无线电爱好者构建的高功率发射机中，以提升通信距离和信号质量。 MRF175LU具备良好的热稳定性和高效率，适用于L波段至UHF频段，具有较高的耐用性和适应性，是多种射频功率放大应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET RF N-CH 28V 100MA 333-04射频MOSFET晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | M/A-Com Technology SolutionsMACOM |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF175LU- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF175LUMRF175LU |
| Pd-功率耗散 | 270 W |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 40 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | 333-04， 2 型 |
| 其它名称 | 1465-1169 |
| 功率-输出 | 100W |
| 功率耗散 | 270 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | MACOM |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 10dB10 dB |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 333-04 |
| 封装/箱体 | Case 333-4 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 13 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 类型 | Broadband RF Power FET |
| 输出功率 | 100 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 40 V |
| 频率 | 400Hz400 MHz |
| 额定电流 | 13A |
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