Datasheet下载- 型号： BLF245,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF245,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF245,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF245,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF245,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF245,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF245,112 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，广泛应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件适用于 175 MHz 至 250 MHz 频段，具备高效率和优异的热稳定性，适合在工业、科学和医疗（ISM）频段中运行。 典型应用场景包括： 1. 广播发射机：用于调频（FM）广播发射设备中的射频功率放大级，提供稳定的大信号输出能力，支持高效长距离传输。 2. 工业加热与感应加热设备：作为射频能量源，用于金属熔炼、热处理和感应加热系统，具有良好的耐压和热循环性能。 3. 射频激励源：在等离子发生器、半导体制造设备及材料处理系统中，提供稳定的射频功率输出。 4. 陆地移动通信：应用于公共安全、交通调度等专业无线通信基站，支持高可靠性语音和数据传输。 BLF245,112 采用先进的 LDMOS 技术，具备高增益、低失真和出色的耐用性，能在高驻波比（VSWR）条件下安全运行，增强了系统稳定性。其封装设计有利于高效散热，适用于连续波（CW）和脉冲工作模式。 总体而言，BLF245,112 是中高频段大功率应用的理想选择，特别适合对可靠性和能效要求较高的工业与通信设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF DMOS SOT123A |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF245,112 |
| PCN封装 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | CRFM4 |
| 其它名称 | 568-2402 |
| 功率-输出 | 30W |
| 包装 | 托盘 |
| 噪声系数 | 2dB |
| 增益 | 15.5dB |
| 封装/外壳 | SOT-123A |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 50mA |
| 频率 | 175MHz |
| 额定电流 | 6A |
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