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Datasheet下载- 型号： ATF-38143-BLKG
- 制造商： Avago Technologies
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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ATF-38143-BLKG产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-38143-BLKG由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-38143-BLKG价格参考。Avago TechnologiesATF-38143-BLKG封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， RF Mosfet pHEMT FET 2V 10mA 2GHz 16dB 12dBm SOT-343。您可以下载ATF-38143-BLKG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-38143-BLKG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-38143-BLKG是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT），属于射频MOSFET类别，广泛应用于高频、低噪声的射频前端设计中。该器件具有极低的噪声系数和优异的增益性能，工作频率范围覆盖DC至4 GHz，特别适用于对信号灵敏度要求较高的场景。 其主要应用场景包括无线通信基础设施，如蜂窝网络基站的接收模块；卫星通信系统中的低噪声放大器（LNA）；点对点微波通信和宽带无线接入设备；以及工业、科研和医疗（ISM）频段射频系统。此外，ATF-38143-BLKG也常用于雷达系统、测试与测量仪器以及高灵敏度接收机前端，提升信号接收的稳定性和清晰度。 该器件采用小型化封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在紧凑空间内实现高性能射频放大。由于其增强型设计（正阈值电压），可简化偏置电路设计，降低系统功耗，提高整体能效。因此，ATF-38143-BLKG在需要低功耗、低噪声和高线性度的射频应用中表现出色，是现代高频电子系统中的关键元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | IC PHEMT 1.9GHZ 4.5V 10MA SOT343射频JFET晶体管 Transistor GaAs Low Noise |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 145 mA |
| Id-连续漏极电流 | 145 mA |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 产品手册 | http://www.avagotech.com/pages/en/rf_microwave/transistors/fet/atf-38143/ |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-38143-BLKG- |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1443EN |
| P1dB | 12 dBm |
| 产品型号 | ATF-38143-BLKG |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| Pd-PowerDissipation | 580 mW |
| Pd-功率耗散 | 580 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 4.5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 4.5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 4 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 4 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 其它名称 | 516-1866 |
| 功率-输出 | 12dBm |
| 功率耗散 | 580 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.4dB |
| 增益 | 16dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 封装/箱体 | SOT-343 |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 最大工作温度 | + 160 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向跨导-最小值 | 230 mmho |
| 漏极连续电流 | 145 mA |
| 漏源电压VDS | 4.5 V |
| 电压-测试 | 2V |
| 电压-额定 | 4.5V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 类型 | GaAs pHEMT |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | - 4 V |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 145mA |
