Datasheet下载- 型号： MRFE6VP100HR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP100HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP100HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP100HR5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFE6VP100HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP100HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 MRFE6VP100HR5 是一款高性能射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高功率射频放大应用。该器件基于横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术，具备高效率、高增益和优异的热稳定性，适用于工作频率在 1.8 GHz 以下的射频系统。 其典型应用场景包括：工业、科学和医疗（ISM）频段设备，如射频加热、等离子发生器和医疗射频治疗设备；广播领域中的 FM 无线电发射机和电视发射机的末级功率放大；陆地移动通信基站，支持公共安全通信、应急通信网络和专业对讲系统；以及高可靠性要求的军用通信和战术电台系统。 MRFE6VP100HR5 采用先进的陶瓷封装（R5 封装），具有出色的散热性能和长期可靠性，适合在高温、高负载环境下持续运行。其高击穿电压和抗驻波比（VSWR）能力使其在复杂负载条件下仍能稳定工作，减少系统故障风险。 综上，MRFE6VP100HR5 广泛应用于需要高功率、高可靠性和稳定射频输出的关键领域，是现代射频功率放大设计中的核心器件之一。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF H-CH FET LDMOS NI780 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP100HR5 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780-4 |
| 其它名称 | MRFE6VP100HR5DKR |
| 功率-输出 | 100W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 26dB |
| 封装/外壳 | NI-780-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 133V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 1.8MHz ~ 2GHz |
| 额定电流 | - |
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