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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BLP10H610Z由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLP10H610Z价格参考。NXP SemiconductorsBLP10H610Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLP10H610Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLP10H610Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLP10H610Z 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频MOSFET晶体管,主要用于高功率射频放大应用。该器件基于先进的LDMOS技术,具有高效率、高增益和出色的热稳定性,适用于工作频率在610MHz以下的射频系统。 典型应用场景包括:工业、科学和医疗(ISM)频段的射频能量应用,如感应加热、等离子体生成和射频消融设备;同时广泛用于广播发射机中的模拟与数字电视(DTV)功率放大器,支持UHF频段信号传输;此外,也适用于陆地移动通信基站,特别是需要高可靠性和连续波(CW)输出能力的公共安全通信和专业无线通信系统。 BLP10H610Z具备良好的输入匹配和稳定的负载耐受能力,可在高驻波比(VSWR)条件下可靠运行,适合恶劣环境下的长时间工作。其陶瓷封装形式提供了优异的散热性能和机械稳定性,增强了产品在高温、高湿及振动环境中的耐用性。 综上所述,BLP10H610Z是一款高性能射频功率晶体管,适用于对可靠性与输出功率要求较高的工业加热、广播电视发射和专业通信基础设施等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR DVR LDMOS 10W 12HVSON |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLP10H610Z |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 12-HVSON (5x6) |
| 其它名称 | 934068215515 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | - |
| 封装/外壳 | 12-VDFN 裸露焊盘 |
| 晶体管类型 | LDMOS(双) |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 104V |
| 电流-测试 | 60mA |
| 频率 | 860MHz |
| 额定电流 | - |