【未分类_AFT09S282NR3】封装/厂家_AFT09S282NR3中文资料_价格

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型号： AFT09S282NR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供AFT09S282NR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT09S282NR3价格参考。Freescale SemiconductorAFT09S282NR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载AFT09S282NR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT09S282NR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 AFT09S282NR3 的射频晶体管（RF FET/MOSFET）主要应用于高频信号处理领域。以下是其典型应用场景：

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
   - 该器件适用于无线通信系统中的射频功率放大器设计，特别是在需要高效率和高增益的场景下。
   - 应用包括蜂窝基站、中继站以及点对点无线电通信设备。

 2. 无线基础设施
   - 在现代无线通信基础设施中（如4G LTE、5G NR），AFT09S282NR3 可用于实现高效的射频信号放大。
   - 其高线性度特性使其适合于多载波功率放大器（MCPA）应用。

 3. 雷达系统
   - 该MOSFET可用于雷达发射机中的功率放大级，支持高频率和高功率输出。
   - 适用于气象雷达、军事雷达或汽车防撞雷达等场景。

 4. 射频测试与测量设备
   - 在实验室环境中，这种器件可用于构建高性能的射频信号源或功率放大器，以满足严格的测试要求。

 5. 工业科学医疗 (ISM) 领域
   - 在ISM频段内，AFT09S282NR3可以驱动各种射频能量应用，例如无线能量传输、等离子体生成或射频加热设备。

 6. 航空航天与国防
   - 因其优异的射频性能和可靠性，该器件在卫星通信、导航系统及电子对抗设备中有广泛应用。

总结来说，AFT09S282NR3凭借其卓越的射频性能、宽带能力和高效率，广泛应用于通信、雷达、测试测量以及ISM频段相关设备中，尤其适合需要高功率和高频率操作的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS RF PWR LDMOS OM-780-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	AFT09S282NR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	OM-780-2
功率-输出	80W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	20dB
封装/外壳	OM-780-2
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	70VDC
电流-测试	1.4A
频率	7.2GHz ~ 9.6GHz
额定电流	10µA