Datasheet下载- 型号： BLF7G27LS-75P,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G27LS-75P,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G27LS-75P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G27LS-75P,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G27LS-75P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G27LS-75P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G27LS-75P,118 是由 Ampleon USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于高频率、高功率的无线通信系统中。该器件工作频率可达 2.7 GHz，具备出色的功率输出能力和效率，适用于 LDMOS 技术广泛覆盖的通信频段。 其典型应用场景包括：陆地移动无线电（如公共安全通信、应急调度系统）、工业与商业用射频放大器、ISM 频段设备（工业、科学和医疗领域中的射频加热与处理设备），以及蜂窝通信基础设施中的基站功率放大器，尤其在 4G LTE 和部分 5G 基站系统中用于增强信号覆盖。 该器件采用先进的封装技术，具备良好的热稳定性和可靠性，适合在严苛环境下长时间运行。其高增益和优异的线性性能使其在需要高质量信号放大的场合表现突出。此外，BLF7G27LS-75P,118 还可用于广播传输设备和高功率脉冲雷达系统，满足对连续波（CW）和脉冲信号放大的需求。 综上所述，BLF7G27LS-75P,118 广泛服务于现代通信与射频能量应用领域，是一款高性能、高稳定性的射频功率晶体管，适用于对效率、带宽和可靠性要求较高的系统设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT1121B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF7G27LS-75P,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934064558118 |
| 功率-输出 | 12W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-1121B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 650mA |
| 频率 | 2.3GHz ~ 2.4GHz |
| 额定电流 | 18A |
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