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  • 型号: BF1105WR,135
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BF1105WR,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BF1105WR,135价格参考。NXP SemiconductorsBF1105WR,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BF1105WR,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BF1105WR,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的 BF1105WR,135 是一款射频 (RF) 晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号的应用场景主要集中在高频射频领域,以下是一些典型应用场景:

 1. 射频放大器
   - BF1105WR,135 可用于设计高性能的射频功率放大器,适用于无线通信系统中的信号放大。
   - 其高频特性使其适合于工作在 VHF(甚高频频段)、UHF(超高频频段)以及更高频率范围的设备。

 2. 无线通信设备
   - 该晶体管可用于基站、中继站和其他无线通信设备中,以实现信号的高效传输和接收。
   - 在对讲机、移动无线电设备和卫星通信系统中也有应用。

 3. 射频开关
   - BF1105WR,135 的低导通电阻和快速切换能力使其非常适合用作射频开关,用于多路复用或分频网络中。

 4. 雷达系统
   - 在雷达系统中,该晶体管可以用于信号发射和接收模块,提供高效的射频能量转换。

 5. 测试与测量设备
   - 在频谱分析仪、信号发生器等测试设备中,BF1105WR,135 可用于生成或处理高频信号。

 6. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域
   - 该晶体管可应用于 ISM 频段的设备,例如微波炉、工业加热设备和医疗诊断设备中的射频模块。

 7. 业余无线电
   - 对于业余无线电爱好者,BF1105WR,135 可用于自制的射频发射器或接收器电路,提升信号强度和覆盖范围。

 技术特点
- 高频性能:适合高频射频应用,能够处理复杂的射频信号。
- 低噪声:确保信号传输过程中的低失真和高保真度。
- 高可靠性:能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。

综上所述,BF1105WR,135 主要应用于需要高效射频信号处理和放大的场景,特别是在无线通信、雷达、测试设备等领域具有广泛用途。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BF1105WR,135

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

CMPAK-4

其它名称

934050320135

功率-输出

-

包装

带卷 (TR)

噪声系数

1.7dB

增益

20dB

封装/外壳

SC-82A,SOT-343

晶体管类型

N 通道双门

标准包装

10,000

电压-测试

5V

电压-额定

7V

电流-测试

-

频率

800MHz

额定电流

30mA

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