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产品简介:
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NXP USA Inc. 生产的 BF1105WR,135 是一款射频 (RF) 晶体管,属于 FET(场效应晶体管)和 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该型号的应用场景主要集中在高频射频领域,以下是一些典型应用场景: 1. 射频放大器 - BF1105WR,135 可用于设计高性能的射频功率放大器,适用于无线通信系统中的信号放大。 - 其高频特性使其适合于工作在 VHF(甚高频频段)、UHF(超高频频段)以及更高频率范围的设备。 2. 无线通信设备 - 该晶体管可用于基站、中继站和其他无线通信设备中,以实现信号的高效传输和接收。 - 在对讲机、移动无线电设备和卫星通信系统中也有应用。 3. 射频开关 - BF1105WR,135 的低导通电阻和快速切换能力使其非常适合用作射频开关,用于多路复用或分频网络中。 4. 雷达系统 - 在雷达系统中,该晶体管可以用于信号发射和接收模块,提供高效的射频能量转换。 5. 测试与测量设备 - 在频谱分析仪、信号发生器等测试设备中,BF1105WR,135 可用于生成或处理高频信号。 6. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域 - 该晶体管可应用于 ISM 频段的设备,例如微波炉、工业加热设备和医疗诊断设备中的射频模块。 7. 业余无线电 - 对于业余无线电爱好者,BF1105WR,135 可用于自制的射频发射器或接收器电路,提升信号强度和覆盖范围。 技术特点 - 高频性能:适合高频射频应用,能够处理复杂的射频信号。 - 低噪声:确保信号传输过程中的低失真和高保真度。 - 高可靠性:能够在严苛的工作条件下保持稳定性能。 综上所述,BF1105WR,135 主要应用于需要高效射频信号处理和放大的场景,特别是在无线通信、雷达、测试设备等领域具有广泛用途。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 7V DUAL SOT343R |
产品分类 | RF FET |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BF1105WR,135 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | CMPAK-4 |
其它名称 | 934050320135 |
功率-输出 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | 1.7dB |
增益 | 20dB |
封装/外壳 | SC-82A,SOT-343 |
晶体管类型 | N 通道双门 |
标准包装 | 10,000 |
电压-测试 | 5V |
电压-额定 | 7V |
电流-测试 | - |
频率 | 800MHz |
额定电流 | 30mA |