Datasheet下载- 型号： ATF-33143-TR1G
- 制造商： Avago Technologies
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-33143-TR1G由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-33143-TR1G价格参考。Avago TechnologiesATF-33143-TR1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-33143-TR1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-33143-TR1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ATF-33143-TR1G是Broadcom Limited推出的一款高性能砷化镓（GaAs）增强型pHEMT射频场效应晶体管（FET），属于MOSFET - 射频类别。该器件专为低噪声、高增益和高线性度的射频放大应用设计，广泛应用于无线通信系统中。 其主要应用场景包括：无线基础设施中的低噪声放大器（LNA），适用于蜂窝网络基站（如GSM、CDMA、WCDMA、LTE等）的接收前端；工作频率范围覆盖DC至2.7 GHz，非常适合多载波和多标准无线电系统；在微波点对点通信、卫星通信和无线回传系统中也表现出色。此外，ATF-33143-TR1G因其出色的噪声系数（典型值低于0.4 dB）和高增益（超过18 dB），常用于需要高灵敏度接收性能的设备中。 该器件采用无铅、表面贴装封装（SOT-343），便于自动化生产，适合高密度PCB布局。其增强型设计允许使用单一正电源供电，简化了偏置电路设计，提高了系统可靠性，特别适用于便携式和低功耗射频模块。 综上，ATF-33143-TR1G是一款适用于现代通信系统的高性能射频晶体管，广泛用于基站接收机、无线接入点、测试仪器及各类宽带低噪声放大电路中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | IC PHEMT 1.9GHZ 80MA LN SOT-343 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Avago Technologies US Inc. |
| 数据手册 | http://www.avagotech.com/docs/AV02-1442EN |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | ATF-33143-TR1G |
| PCN组件/产地 | http://www.avagotech.com/docs/V11-024-480035-0B |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT-343 |
| 功率-输出 | 22dBm |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | 0.5dB |
| 增益 | 15dB |
| 封装/外壳 | SC-82A，SOT-343 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-测试 | 4V |
| 电压-额定 | 5.5V |
| 电流-测试 | 80mA |
| 频率 | 2GHz |
| 额定电流 | 305mA |
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