%20MiniPak%201412.jpg)
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： ATF-551M4-BLK
- 制造商： Avago Technologies
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ATF-551M4-BLK由Avago Technologies设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ATF-551M4-BLK价格参考。Avago TechnologiesATF-551M4-BLK封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ATF-551M4-BLK参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ATF-551M4-BLK 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Broadcom Limited 的型号 ATF-551M4-BLK 属于晶体管 - FET，MOSFET - 射频类别，是一种射频增强型场效应晶体管（RF MOSFET）。其主要应用场景包括： 1. 射频放大器 - ATF-551M4-BLK 适用于低噪声放大器（LNA）和驱动级放大器的设计。由于其出色的高频特性和低噪声性能，广泛用于无线通信系统中的信号放大。 - 常见应用领域包括蜂窝基站、卫星通信设备和无线数据传输系统。 2. 无线通信设备 - 在射频前端模块中，该器件可用于提高信号增益和效率，支持高频段的信号处理。 - 适用于 GSM、CDMA、LTE 和 5G 等通信标准的射频电路设计。 3. 雷达与导航系统 - 该器件的高频率响应特性使其适合应用于雷达接收机和导航系统的信号处理部分。 - 可用于提升目标检测精度和信号质量。 4. 测试与测量设备 - 在频谱分析仪、网络分析仪等测试设备中，ATF-551M4-BLK 能够提供稳定的射频性能，确保测量结果的准确性。 - 适用于高频信号的生成和分析。 5. 射频开关与混频器 - 该晶体管可以用于设计高性能的射频开关和混频器，支持高频信号的切换和调制。 - 应用于射频收发器和频率转换电路中。 6. 广播电视与无线麦克风 - 在广播发射机和无线麦克风系统中，ATF-551M4-BLK 提供高效的射频功率输出和低失真性能。 - 支持高质量音频信号的无线传输。 总结 ATF-551M4-BLK 的核心优势在于其卓越的射频性能、低噪声系数和高增益特性，适用于需要高频、高稳定性的电子设备。无论是通信、雷达还是测试测量领域，该器件都能为系统提供可靠的射频解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK射频JFET晶体管 Transistor GaAs Single Voltage |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
| Id-连续漏极电流 | 100 mA |
| 品牌 | Avago Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频JFET晶体管,Avago Technologies ATF-551M4-BLK- |
| 数据手册 | |
| P1dB | 14.6 dBm |
| 产品型号 | ATF-551M4-BLK |
| PCN设计/规格 | http://www.avagotech.com/docs/V13-004-480035-0A |
| Pd-PowerDissipation | 270 mW |
| Pd-功率耗散 | 270 mW |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 5 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 5 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 5 V to 1 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频JFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | MiniPak 1412 |
| 其它名称 | 516-2373 |
| 功率-输出 | 14.6dBm |
| 功率耗散 | 270 mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Avago Technologies |
| 噪声系数 | 0.5 dB |
| 增益 | 17.5 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | 0505（1412 公制） |
| 封装/箱体 | Mini PAK |
| 工厂包装数量 | 100 |
| 技术 | GaAs |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | EpHEMT |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 100 |
| 正向跨导-最小值 | 220 mmho |
| 漏极连续电流 | 100 mA |
| 漏源电压VDS | 5 V |
| 电压-测试 | 2.7V |
| 电压-额定 | 5V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 类型 | GaAs EpHEMT |
| 配置 | Single Dual Source |
| 闸/源击穿电压 | - 5 V to 1 V |
| 频率 | 2 GHz |
| 额定电流 | 100mA |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
