Datasheet下载- 型号： BLF8G09LS-270WU
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF8G09LS-270WU由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF8G09LS-270WU价格参考。NXP SemiconductorsBLF8G09LS-270WU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF8G09LS-270WU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF8G09LS-270WU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc. 是一家专注于射频（RF）功率解决方案的半导体公司，其产品广泛应用于通信、广播、工业和医疗等领域。 型号为 BLF8G09LS-270WU 的器件是一款射频功率 MOSFET 晶体管，工作频率范围覆盖 UHF 到 GHz 级别，适用于高功率射频放大应用。该器件具有高效率、高线性度和高可靠性等特点，常用于以下应用场景： 1. 无线通信基站：用于 4G/5G 基站的射频功率放大器，支持高数据速率和广覆盖范围； 2. 广播发射系统：如 FM 广播、电视广播（DVB-T、ATSC）等发射设备中的高功率放大模块； 3. 工业与医疗设备：用于射频能量应用，如工业加热、等离子体生成、医疗治疗设备中的射频源； 4. 雷达与测试设备：在雷达系统和射频测试仪器中作为高功率放大单元； 5. 宽带通信系统：支持多频段、宽带信号放大的通信基础设施。 该器件支持高电压工作（如270W输出功率），适合需要高线性度和高效率的系统设计，是现代射频功率放大器的重要组成部分。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS RF 270W LDMOS CDFM6 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF8G09LS-270WU |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM6 |
| 其它名称 | 934068046112 |
| 功率-输出 | 67W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 20dB |
| 封装/外壳 | SOT-1244B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 2A |
| 频率 | 718.5MHz ~ 725.5MHz |
| 额定电流 | - |
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