Datasheet下载- 型号： AFT09MS015NT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT09MS015NT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT09MS015NT1价格参考￥21.93-￥48.29。Freescale SemiconductorAFT09MS015NT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT09MS015NT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT09MS015NT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 AFT09MS015NT1 是一款射频场效应晶体管（RF MOSFET），属于高性能的氮化镓（GaN）基器件，广泛应用于高频、高功率射频系统中。该器件具有高效率、高增益和优异的热稳定性，适用于频率范围在DC至数GHz的场景。 主要应用场景包括： 1. 无线通信基础设施：用于蜂窝基站（如4G LTE和5G网络）中的功率放大器模块，支持宏蜂窝和小基站部署，提供高线性度和输出功率，提升信号覆盖与质量。 2. 雷达系统：适用于C波段和X波段雷达，如气象雷达、空中交通管制雷达及军用雷达，因其具备快速响应和高可靠性，能有效提升探测精度和抗干扰能力。 3. 航空与国防电子：用于电子战（EW）、通信中继和无人机平台中的射频发射单元，满足严苛环境下的高稳定性和长寿命需求。 4. 工业与科学设备：应用于射频加热、等离子发生器和测试测量仪器，支持连续波（CW）和脉冲模式工作。 AFT09MS015NT1采用紧凑型封装，便于集成到现代射频模块中，同时支持高电压操作（通常达28V或更高），适合需要高效能与小型化的高端应用。其设计优化了阻抗匹配与散热性能，有助于降低系统功耗并提升整体能效。 综上，该器件特别适用于对性能、可靠性和空间布局有高要求的先进射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF LDMOS 16W PLD |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT09MS015NT1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5W-2 |
| 功率-输出 | 16W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 16.8dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5W-2 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 12.5V |
| 电压-额定 | 40V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 870MHz |
| 额定电流 | - |
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