ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRFL210PBF
Datasheet下载- 型号： IRFL210PBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL210PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL210PBF价格参考。VishayIRFL210PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 960mA（Tc） 2W（Ta），3.1W（Tc） SOT-223。您可以下载IRFL210PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFL210PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFL210PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类。它具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电力电子应用场景，主要包括： 1. 电源管理： IRFL210PBF可用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电压调节模块（VRM）等应用中，作为高效的开关元件，降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动： 该器件适合用于小型电机驱动电路，例如步进电机、直流无刷电机（BLDC）或有刷直流电机的控制，提供可靠的开关性能。 3. 负载切换： 在需要频繁切换负载的应用中，如汽车电子、工业自动化设备或消费电子产品中的负载切换电路，IRFL210PBF能够快速、稳定地完成切换操作。 4. 电池管理系统（BMS）： 该MOSFET可以应用于电池保护电路中，用于控制充电/放电路径，确保电池的安全运行和高效管理。 5. 逆变器与变频器： IRFL210PBF可用于逆变器和变频器电路中，作为功率级开关元件，实现对交流信号的调制和频率转换。 6. 续流二极管替代： 在某些电路设计中，可以用IRFL210PBF替代续流二极管，通过体二极管功能实现反向电流保护，同时减少损耗。 7. LED驱动： 在大功率LED照明系统中，该MOSFET可用作恒流源的开关元件，精确控制LED亮度和工作状态。 8. 通信设备： 在基站、路由器或其他通信设备中，IRFL210PBF可用于电源分配和信号处理相关的电路中。 总之，IRFL210PBF凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、通信设备等领域，为各种电力转换和控制需求提供解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223MOSFET N-Chan 200V 0.96 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 960 mA |
| Id-连续漏极电流 | 960 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFL210PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91193 |
| 产品型号 | IRFL210PBFIRFL210PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 8.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 欧姆 @ 580mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 960mA （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
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