Datasheet下载- 型号： BLF7G20LS-250P,112
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G20LS-250P,112由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G20LS-250P,112价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G20LS-250P,112封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G20LS-250P,112参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G20LS-250P,112 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BLF7G20LS-250P,112是Ampleon USA Inc.生产的一款高功率LDMOS MOSFET射频晶体管，主要应用于200MHz至250MHz频段的射频功率放大场合。其典型应用场景包括： 1. 广播发射机：适用于调频（FM）广播和电视广播（如DVB-T）的高功率发射设备，提供高效稳定的信号放大。 2. 工业加热设备：用于感应加热、等离子体发生器等工业设备中的射频能量发生模块，提供高效率的射频功率输出。 3. 无线基础设施：可用于基站、中继站等通信设备中的射频功放模块，支持地面数字电视、公共安全通信等系统。 4. 测试与测量设备：在射频测试系统中作为高功率信号放大单元，用于模拟真实工作环境下的信号输出。 该器件具备高增益、高效率和良好的热稳定性，适合连续波（CW）和脉冲工作模式，广泛应用于需要高可靠性和高输出功率的射频系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | BLF7G20LS-250P,112 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | CDFM4 |
| 其它名称 | 934064457112 |
| 功率-输出 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18dB |
| 封装/外壳 | SOT539B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 20 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.9A |
| 频率 | 1.81GHz ~ 1.88GHz |
| 额定电流 | 37.54A |
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