Datasheet下载- 型号： MRF8S18120HSR3
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S18120HSR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S18120HSR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S18120HSR3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF8S18120HSR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S18120HSR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF8S18120HSR3 是恩智浦半导体（NXP USA Inc.）生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要应用于射频（RF）功率放大领域。该器件特别适用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、广播发射机和其他高频功率放大系统。 该型号工作频率范围宽，性能稳定，适合在1800MHz至2000MHz频段内工作，常用于4G LTE、5G通信系统以及工业、科学和医疗（ISM）频段设备中的射频功率放大器设计。其高效率和高线性度特性使其在多载波通信系统中表现优异，有助于提升系统整体能效并降低运行成本。 此外，MRF8S18120HSR3采用高热效率封装，便于散热，适用于高功率密度设计，适合用于需要长时间稳定运行的通信设备中。由于其优异的耐用性和射频性能，该器件也被广泛用于测试设备、广播发射系统以及专业无线通信设备中。 总结而言，MRF8S18120HSR3 主要应用于高性能射频功率放大场景，尤其适合现代通信基础设施中的高频段、高效率放大需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 120W NI-780S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8S18120HSR3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-780S |
| 其它名称 | MRF8S18120HSR3DKR |
| 功率-输出 | 72W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 18.2dB |
| 封装/外壳 | NI-780S |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 800mA |
| 频率 | 1.81GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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