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SUD25N15-52-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD25N15-52-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD25N15-52-E3价格参考。VishaySUD25N15-52-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 25A(Tc) 3W(Ta),136W(Tc) TO-252,(D-Pak)。您可以下载SUD25N15-52-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SUD25N15-52-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SUD25N15-52-E3是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具体属于N沟道增强型功率MOSFET。其应用场景广泛,尤其适用于需要高效开关和低导通电阻的应用领域。 主要应用场景: 1. 电源管理: - 该MOSFET常用于开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。 - 在DC-DC转换器中,SUD25N15-52-E3可以作为高端或低端开关,实现高效的电压调节。 2. 电机驱动: - 适用于小型直流电机、步进电机或无刷直流电机的驱动电路。通过快速切换MOSFET的导通与截止状态,实现对电机速度和方向的精确控制。 - 其快速开关特性和低损耗特性使其在电机驱动应用中表现出色。 3. 负载开关: - 在便携式电子设备(如智能手机、平板电脑等)中,MOSFET用作负载开关,控制不同模块的供电路径。SUD25N15-52-E3能够快速响应并提供稳定的电流传输,确保设备的安全运行。 4. 电池管理系统(BMS): - 在电池管理系统中,MOSFET用于电池充放电保护电路。它可以在过流、短路等异常情况下迅速切断电流,保护电池和相关电路免受损坏。 5. 工业自动化: - 在工业控制系统中,MOSFET可用于驱动传感器、执行器和其他外围设备。其高可靠性和耐用性使其适合恶劣的工业环境。 6. 汽车电子: - 在汽车电子系统中,如车身控制模块、电动助力转向系统等,MOSFET用于各种开关和驱动任务。其抗干扰能力强,能够在复杂的电磁环境中稳定工作。 总结: SUD25N15-52-E3凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、电池管理、工业自动化以及汽车电子等领域。其低导通电阻、快速开关速度和高耐压特性,使其成为众多高性能应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 150V 25A TO252MOSFET 150V 25A 136W 52mohm @ 10V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
Id-连续漏极电流 | 25 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SUD25N15-52-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SUD25N15-52-E3SUD25N15-52-E3 |
Pd-PowerDissipation | 3 W |
Pd-功率耗散 | 3 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 52 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 70 ns |
下降时间 | 60 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1725pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 52 毫欧 @ 5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-252,(D-Pak) |
其它名称 | SUD25N15-52-E3-ND |
典型关闭延迟时间 | 25 ns |
功率-最大值 | 3W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,000 |
正向跨导-最小值 | 40 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |