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  • 型号: FQD12N20TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQD12N20TM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD12N20TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD12N20TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD12N20TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 9A(Tc) 2.5W(Ta),55W(Tc) D-Pak。您可以下载FQD12N20TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQD12N20TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD12N20TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景主要包括以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FQD12N20TM 的高电压耐受能力(200V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高频开关应用。
   - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用,提高效率并降低功耗。
   - 负载开关:用于控制负载的通断,尤其是在需要快速响应和低导通电阻的应用中。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于驱动小型直流电机,如风扇、泵或家用电器中的电机。
   - H 桥电路:在双向电机控制中,该 MOSFET 可用作 H 桥的一部分,实现电机的正转、反转和制动功能。

 3. 工业自动化
   - 继电器替代:由于其快速开关特性和可靠性,可以替代传统机械继电器,用于工业设备中的信号切换。
   - 固态继电器 (SSR):在需要高隔离电压和低功耗的应用中,可以用作 SSR 的核心元件。

 4. 汽车电子
   - 车载电子系统:用于汽车内的照明控制、座椅调节、车窗升降等低压控制电路。
   - 电池管理系统 (BMS):在电动汽车或混合动力汽车的电池保护电路中,用于过流保护和短路保护。

 5. 消费类电子产品
   - 充电器和适配器:在便携式设备的充电器中用作功率开关,提供高效的能量转换。
   - 音频放大器:用于音频信号的功率放大,特别是在需要低失真和高效率的应用中。

 6. 其他应用
   - 逆变器:在太阳能逆变器或 UPS 系统中,作为功率级开关元件。
   - 过流保护电路:利用其低导通电阻特性设计高效的保护电路。
   - 脉宽调制 (PWM) 控制:在需要精确控制输出电流或电压的场合,如 LED 驱动器或加热器控制。

总结来说,FQD12N20TM 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度,广泛应用于电源管理、电机驱动、工业自动化、汽车电子和消费类电子产品等领域,是一款性能优异的 N 沟道 MOSFET。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 9A DPAKMOSFET 200V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

9 A

Id-连续漏极电流

9 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQD12N20TMQFET®

数据手册

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产品型号

FQD12N20TM

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

280 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

280 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

120 ns

下降时间

55 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

910pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

280 毫欧 @ 4.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-252-3

其它名称

FQD12N20TM-ND
FQD12N20TMFSTR

典型关闭延迟时间

30 ns

功率-最大值

2.5W

包装

带卷 (TR)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

正向跨导-最小值

7.3 S

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9A (Tc)

系列

FQD12N20

通道模式

Enhancement

配置

Single

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