Datasheet下载- 型号： HUF76619D3ST
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HUF76619D3ST由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HUF76619D3ST价格参考。Fairchild SemiconductorHUF76619D3ST封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HUF76619D3ST参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HUF76619D3ST 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
HUF76619D3ST是安森美（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流电路及电压调节模块（VRM），在笔记本电脑、服务器和通信设备电源中实现高效率能量转换。 2. 电机驱动：用于小型电机控制，如家用电器、电动工具和工业自动化设备中的H桥或PWM驱动电路，具备快速开关能力和良好热稳定性。 3. 负载开关与电源开关：在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中作为电池供电系统的负载开关，实现低功耗待机与快速响应。 4. 照明系统：应用于LED驱动电路，特别是在需要调光功能的汽车照明或工业照明中，支持高频PWM调光。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，可用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗升降、座椅调节）等环境较严苛的应用。 该器件具有低栅极电荷、低导通电阻（RDS(on)）和高耐压特性，有助于提升系统效率并减少发热，适合高密度、高可靠性的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 18A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | HUF76619D3ST |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | UltraFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 767pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
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