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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFH4N100Q由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFH4N100Q价格参考。IXYSIXFH4N100Q封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXFH4N100Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXFH4N100Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFH4N100Q是一款MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率晶体管的一种,常用于高电压和高功率应用。该器件具有高耐压、低导通电阻和良好的热稳定性的特点,因此适用于多种工业和电力电子系统中。 典型应用场景包括: 1. 电源转换设备:如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等,用于高效能电能转换。 2. 电机驱动:用于工业自动化、伺服电机或步进电机控制电路中,提供高效开关控制。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,用于将直流电转换为交流电。 4. 焊接设备:用于控制高电流输出,实现稳定焊接过程。 5. 充电器与电池管理系统:用于高功率电池充电控制,确保安全高效的充放电过程。 6. 工业控制与自动化系统:作为高电压开关,用于控制大功率负载。 该MOSFET采用TO-264封装,便于散热设计,适合在高功率密度和高可靠性要求的环境中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247ADMOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFH4N100QHiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFH4N100Q |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 18 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 1.5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1050pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 39nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3 欧姆 @ 2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247AD (IXFH) |
| 典型关闭延迟时间 | 32 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 1 kV |
| 漏极连续电流 | 4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4A (Tc) |
| 系列 | IXFH4N100 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |