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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PMG370XN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMG370XN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMG370XN,115价格参考。NXP SemiconductorsPMG370XN,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMG370XN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMG370XN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 的 PMG370XN,115 是一款P沟道MOSFET晶体管，属于表面贴装型功率器件，适用于低电压、中等电流的开关应用。其主要应用场景包括便携式电子设备和电源管理电路。 该器件常用于电池供电设备中的负载开关或电源通断控制，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和蓝牙耳机等，因其低导通电阻（RDS(on)）和小封装（如SOT1210），有助于提高能效并节省空间。此外，PMG370XN,115也适用于DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关，提升电源转换效率。 在电机驱动、LED驱动及小型家电控制电路中，该MOSFET可用于实现精确的开关控制。由于其具备良好的热稳定性和可靠性，也适合工业自动化和消费类电子中的信号切换与保护电路。 总体而言，PMG370XN,115凭借其高集成度、低功耗特性和紧凑设计，广泛应用于对空间和能效要求较高的现代电子产品中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 37pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 0.65nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 440 毫欧 @ 200mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP |
| 其它名称 | 934058291115 |
| 功率-最大值 | 690mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 960mA （Ta） |
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