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产品简介:
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NTTFS3A08PZTAG 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理: 该 MOSFET 可用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电压调节模块(VRM)。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于提高效率并减少功率损耗,适合需要高效能的电源管理系统。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动中,NTTFS3A08PZTAG 可作为开关元件使用。它能够承受一定的电流和电压波动,确保电机运行稳定。 3. 负载开关: 该器件适用于各种负载开关应用,例如 USB 充电端口保护、电池管理系统等。通过快速开启和关闭电路,可以有效控制电流流动并防止过载。 4. 逆变器与太阳能系统: 在光伏逆变器或其他可再生能源转换设备中,这款 MOSFET 能够处理高频信号和高电流负载,帮助实现能量的有效转换。 5. 通信设备: 由于其出色的电气性能,NTTFS3A08PZTAG 常被用作通信基础设施中的信号放大和切换组件,如基站、路由器等。 6. 汽车电子: 在汽车行业中,该产品可用于车身控制模块、LED 照明驱动以及电动助力转向系统等领域,满足车规级要求下的严苛工作条件。 7. 消费类电子产品: 包括笔记本电脑适配器、平板电脑充电器及智能家居设备在内的多种消费类产品中,这款 MOSFET 都能找到用武之地。 总之,凭借其优异的性能参数和可靠性,NTTFS3A08PZTAG 广泛应用于工业、商业及消费类市场中的众多领域。具体选择时需根据实际需求考虑散热设计、布局优化等因素以确保最佳效果。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 14A U8FLMOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 14 A |
Id-连续漏极电流 | - 14 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTTFS3A08PZTAG- |
数据手册 | |
产品型号 | NTTFS3A08PZTAG |
Pd-PowerDissipation | 2.2 W |
Pd-功率耗散 | 2.2 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 6.7 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 6.7 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5000pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.7 毫欧 @ 12A, 4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | * |
功率-最大值 | 840mW |
包装 | * |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | * |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | * |
封装/箱体 | WDFN-8 |
工厂包装数量 | 1500 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 1,500 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta) |
系列 | NTTFS3A08PZ |