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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STF25N10F7由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF25N10F7价格参考。STMicroelectronicsSTF25N10F7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STF25N10F7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STF25N10F7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的STF25N10F7是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻、高耐压(100V)和良好的热稳定性,适合高效率和高功率密度的设计需求。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的电能转换。 2. 电机驱动:适用于电动工具、风扇、泵类等小型电机控制电路。 3. 负载开关:作为高边或低边开关,控制电源对负载的供给,如工业控制设备和智能家电。 4. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制和保护电路。 5. 汽车电子:适用于车载充电器、车身控制模块等对可靠性要求高的场景。 6. 逆变器与UPS系统:用于不间断电源或小型逆变器中进行功率转换。 由于其高可靠性和封装形式(如TO-220或D²PAK),STF25N10F7便于散热和安装,适合工业和车载环境使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 25A TO-220FPMOSFET Nchanl 100V 0025 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 19 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF25N10F7DeepGATE™, STripFET™ VII |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF25N10F7 |
| Pd-PowerDissipation | 25 W |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Qg-GateCharge | 14 nC |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 14 ns |
| 下降时间 | 4.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 920pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 35 毫欧 @ 12.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-14553-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 14.8 ns |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 35 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 19 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Tc) |
| 系列 | STF25N10F7 |
| 配置 | Single |