Datasheet下载- 型号： FQPF9N30
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF9N30由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF9N30价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF9N30封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF9N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF9N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF9N30 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有9A连续漏极电流和300V漏源击穿电压。其主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器等，因其高耐压和良好的导通电阻特性，有助于提高电源效率。 2. 电机驱动：用于直流电机或步进电机的驱动电路中，作为功率开关元件，控制电机的启停和转速。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和逆变器中作为核心开关元件，实现电能的高效转换。 4. 照明系统：应用于LED照明或高压气体放电灯的驱动电路中，提供稳定的功率控制。 5. 工业自动化与控制设备：用于工业控制系统中的负载开关、继电器替代等场景，具备快速开关和高可靠性的优势。 该MOSFET采用TO-220封装，便于散热，适合中高功率应用。设计时需注意其栅极驱动电压和散热管理，以确保稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V 6A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF9N30 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 450 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A （Tc） |
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