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Datasheet下载- 型号： IRF7832PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRF7832PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7832PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7832PBF价格参考￥10.92-￥13.21。International RectifierIRF7832PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 20A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7832PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7832PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7832PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于多种电子设备和系统中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理：IRF7832PBF常用于开关电源、直流-直流转换器等电源管理系统中，作为高效的开关元件。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中，如步进电机、直流无刷电机等，IRF7832PBF可以实现快速、可靠的开关操作，提供稳定的电流输出，确保电机平稳运行。 3. 消费电子产品：该MOSFET适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的电池管理模块，帮助实现高效的充电和放电控制，延长电池寿命。 4. 汽车电子：在汽车电子系统中，例如车身控制模块、车载充电器、LED照明系统等，IRF7832PBF凭借其良好的耐压性能和可靠性，能够承受严苛的工作环境，保证系统的稳定性和安全性。 5. 工业自动化：在工业控制系统中，如PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口电路等，IRF7832PBF可以用作信号隔离或负载切换元件，实现精确的控制功能。 6. 通信设备：在网络路由器、交换机等通信设备中，IRF7832PBF可用于电源管理和信号调理，确保设备高效、稳定地工作。 总之，IRF7832PBF以其优异的电气性能和可靠性，在各种需要高效开关和功率管理的应用场合中表现出色，是设计工程师常用的高性能MOSFET之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 34nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 20 A |
| Id-连续漏极电流 | 20 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7832PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7832PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 34 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 6.7 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.32V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4310pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 155 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 34 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7832.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7832.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
