【未分类_IPP50R380CEXKSA1】封装/厂家_IPP50R380CEXKSA1中文资料_价格

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型号： IPP50R380CEXKSA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPP50R380CEXKSA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPP50R380CEXKSA1价格参考。InfineonIPP50R380CEXKSA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPP50R380CEXKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPP50R380CEXKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IPP50R380CEXKSA1 的晶体管属于功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，是一款单管 MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。

该器件的主要应用场景包括：

1. 开关电源（SMPS）：用于服务器电源、通信电源、工业电源等高效开关电源系统，具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提升系统能效。

2. DC-DC 转换器：适用于高频率、高效率的电压转换电路，如车载电源系统、新能源设备中的电源模块。

3. 逆变器与电机控制：可用于工业电机驱动器、变频器、UPS（不间断电源）系统中，支持高效电能转换。

4. 新能源领域：如太阳能逆变器、储能系统、电动汽车充电模块等，满足对功率密度和效率的高要求。

5. 家电与工业自动化：在高功率家电（如电磁炉、变频空调）和自动化控制设备中作为功率开关元件使用。

该MOSFET采用先进的技术，具有高耐用性和热稳定性，适合在高温、高负载环境下稳定工作，是一款性能优异的功率器件。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	32.4 A
Id-连续漏极电流	32.4 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET COOL MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPP50R380CEXKSA1
产品型号	IPP50R380CEXKSA1
Pd-PowerDissipation	73 W
Pd-功率耗散	73 W
Qg-GateCharge	24.8 nC
Qg-栅极电荷	24.8 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	380 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	380 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	550 V
Vds-漏源极击穿电压	550 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	5.6 ns
下降时间	8.6 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	35 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装风格	Through Hole
导通电阻	380 mOhms
封装	Tube
封装/箱体	TO-220-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
汲极/源极击穿电压	550 V
漏极连续电流	32.4 A
系列	IPP50R380
配置	Single
零件号别名	SP000850818