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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STL16N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STL16N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTL16N65M5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STL16N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STL16N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STL16N65M5是一款N沟道增强型功率MOSFET,主要应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(650V)和良好的热稳定性,适用于多种电力电子变换器和功率控制场合。 典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):用于AC/DC和DC/DC转换器中,作为主开关元件,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:适用于工业自动化和家电中的电机控制电路,提供快速开关和低损耗性能。 3. 照明系统:如LED驱动电源,用于高效恒流或恒压电源设计。 4. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、UPS系统及工业变频控制中,实现电能形式的高效转换。 5. 电池管理系统:在高电压电池组(如电动车或储能系统)中用于充放电控制与保护。 该MOSFET采用先进的超结技术,具有出色的导通与开关性能,适合高频工作环境,同时具备良好的抗雪崩能力,增强了系统稳定性与安全性。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 650V HV POWERFLATMOSFET N-Ch 650V 0.27 Ohm 12A Mdmesh V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
Id-连续漏极电流 | 12 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STL16N65M5MDmesh™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STL16N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 90 W |
Pd-功率耗散 | 90 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 299 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 299 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 25 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 299 毫欧 @ 6A,10V |
产品种类 | Power MOSFET Transistors |
供应商器件封装 | PowerFlat™ (8x8) HV |
其它名称 | 497-12270-6 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF250673?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 3W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 4-PowerFlat™ HV |
封装/箱体 | PowerFLAT-4 8x8 HV |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Tc) |
系列 | STL16N65M5 |
配置 | Single |