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- 型号： STF31N65M5
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF31N65M5由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF31N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTF31N65M5封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STF31N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF31N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STF31N65M5 是一款高压超级结 MOSFET，属于晶体管中的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有 650V 耐压、31A 连续漏极电流（@25°C）以及低导通电阻（RDS(on)），结合先进的 MDmesh™ M5 技术，具备出色的开关性能和能效表现。 STF31N65M5 主要应用于需要高效率和高功率密度的电源系统中。典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源和通信电源中，适用于功率因数校正（PFC）级和主转换器拓扑（如 LLC 谐振转换器或反激式变换器）。 2. 照明电源：适用于大功率 LED 驱动电源，特别是在户外照明、商业照明等对能效和可靠性要求较高的场合。 3. 消费类电器：可用于空调、洗衣机等变频家电的辅助电源或功率转换模块中。 4. 可再生能源系统：在太阳能逆变器等小型光伏系统中，用于直流-交流转换环节，提升整体转换效率。 5. 工业电机驱动：作为功率开关元件，用于中小功率电机控制电路中的电源管理部分。 由于其优异的动态性能和高温稳定性，STF31N65M5 特别适合高频工作环境，有助于减小磁性元件体积，提高系统功率密度。同时，该器件采用 TO-220FP 或类似封装，便于散热设计与批量生产。 综上，STF31N65M5 是一款面向高效能、高可靠电源应用的理想选择，尤其适用于追求节能与小型化的现代电力电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FPMOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13.9 A |
| Id-连续漏极电流 | 13.9 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF31N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF31N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 148 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 148 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 816pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 148 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-13101-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253434?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
| 系列 | STF31N65M5 |
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