【未分类_FQP18N50V2】封装/厂家_FQP18N50V2中文资料_价格

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型号： FQP18N50V2
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP18N50V2由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP18N50V2价格参考。Fairchild SemiconductorFQP18N50V2封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQP18N50V2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQP18N50V2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP18N50V2 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其典型应用场景包括但不限于以下领域：

 1. 开关电源（SMPS）
   - FQP18N50V2 的耐压高达 500V，适用于高电压环境下的开关电源设计，例如适配器、充电器和 DC-DC 转换器。
   - 它可以用作主开关管或同步整流管，提供高效的能量转换。

 2. 电机驱动
   - 在中低功率的电机驱动应用中，这款 MOSFET 可用作开关器件，控制电机的启动、停止和速度调节。
   - 典型应用包括家用电器（如风扇、洗衣机）、电动工具和小型工业设备。

 3. 逆变器
   - FQP18N50V2 适合用于光伏逆变器、UPS（不间断电源）和其他类型的逆变器电路中，作为功率开关元件。
   - 其高耐压特性使其能够承受逆变器中的高压脉冲。

 4. 负载切换
   - 在需要频繁开启和关闭高电压负载的应用中，这款 MOSFET 可以用作负载切换开关。
   - 例如汽车电子系统中的继电器替代方案，或工业设备中的负载控制。

 5. 电池管理系统（BMS）
   - 在电池保护电路中，FQP18N50V2 可用于过压、过流和短路保护。
   - 它可以快速切断电流路径，保护电池组免受损坏。

 6. 电磁阀驱动
   - 该 MOSFET 可用于驱动电磁阀，特别是在需要高电压驱动的工业控制和自动化系统中。
   - 其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率。

 7. 照明系统
   - 在高压 LED 照明应用中，FQP18N50V2 可用作恒流驱动电路中的开关元件。
   - 它支持高效调光和亮度控制。

 总结
FQP18N50V2 凭借其高耐压（500V）、低导通电阻（典型值为 0.9Ω）和出色的开关性能，广泛应用于高电压、中低功率的电力电子设备中。其主要优势在于可靠性高、效率优异，能够满足多种工业、消费类和汽车电子场景的需求。在具体应用时，需根据实际工作条件选择合适的驱动电路和散热设计，以确保其稳定运行。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 500V 18A TO-220
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQP18N50V2
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	3290pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	55nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	265 毫欧 @ 9A，10V
供应商器件封装	TO-220
功率-最大值	208W
包装	管件
安装类型	通孔
封装/外壳	TO-220-3
标准包装	1,000
漏源极电压(Vdss)	500V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	18A （Tc）