Datasheet下载- 型号： SFT1345-TL-H
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SFT1345-TL-H由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SFT1345-TL-H价格参考。ON SemiconductorSFT1345-TL-H封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SFT1345-TL-H参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SFT1345-TL-H 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SFT1345-TL-H 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件适用于多种电源管理和开关应用，具有高效率和低导通电阻的特点。 该MOSFET主要应用于以下场景： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器中，用于高效能开关操作，提高电源转换效率。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为负载开关，控制电源通断，延长电池寿命。 3. 马达控制：用于小型电机驱动电路中，实现对电机速度和方向的控制。 4. 照明系统：如LED驱动电路中，作为开关元件，实现调光和节能功能。 5. 消费电子产品：包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携设备中的电源管理模块。 6. 工业控制：在工业自动化设备中用于继电器替代、传感器电源控制等。 该器件采用小型封装，适合高密度PCB布局，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH SWITCHING TPMOSFET SWITCHING DEVICE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| Id-连续漏极电流 | - 11 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor SFT1345-TL-H* |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SFT1345-TL-H |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 21 nC |
| Qg-栅极电荷 | 21 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 210 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 25 ns |
| 下降时间 | 55 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 105 ns |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 210 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 700 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 700 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | - 11 A |
| 系列 | SFT1345 |
| 配置 | Single Dual Drain |
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