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产品简介:
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FDP120AN15A0 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:广泛应用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于高效能电能转换,适用于服务器、通信设备和工业电源系统。 2. 电机控制:在直流电机驱动器和无刷电机控制系统中作为功率开关,实现对电机速度和方向的控制。 3. 逆变器与变频器:用于UPS(不间断电源)、太阳能逆变器和工业变频器中,实现直流电到交流电的高效转换。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及汽车电机控制模块,满足汽车工业对可靠性和效率的要求。 5. 负载开关与电源分配:用于高电流负载的开关控制,如工业自动化设备中的电源分配系统。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、高电流容量和优良的热性能,适合高频开关操作,有助于提升系统效率并减少散热设计复杂度。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 150V 14A TO-220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FDP120AN15A0 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | PowerTrench® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.5nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 120 毫欧 @ 4A,10V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 65W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 400 |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.8A (Ta), 14A (Tc) |