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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFPC50APBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFPC50APBF价格参考¥23.48-¥41.28。VishayIRFPC50APBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFPC50APBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFPC50APBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFPC50APBF 是 Vishay Siliconix(威世科技)生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于 FET(场效应晶体管)中的 MOSFET 类型。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电源适配器,因其具备高效率、低导通电阻和快速开关特性。 2. 电机控制:常用于直流电机驱动器、电动工具及电动车控制系统中,能承受较高的电流和电压应力。 3. 照明系统:在高亮度 LED 驱动电路中作为开关元件,提供稳定和高效的电流控制。 4. 工业自动化:用于工业控制系统中的负载开关、继电器替代及自动化设备中的功率控制模块。 5. 汽车电子:适用于汽车电源系统、车载充电器及车身控制模块,符合汽车级可靠性要求(如 IRFPC50APBF 为符合 RoHS 和绿色标准的封装)。 该器件具有较高的耐用性和热稳定性,适合在中高功率应用中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 600V 11A TO-247ACMOSFET N-Chan 600V 11 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFPC50APBF- |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91241 |
产品型号 | IRFPC50APBFIRFPC50APBF |
Pd-PowerDissipation | 180 W |
Pd-功率耗散 | 180 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 580 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 580 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 40 ns |
下降时间 | 29 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 580 毫欧 @ 6A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
其它名称 | *IRFPC50APBF |
典型关闭延迟时间 | 33 ns |
功率-最大值 | 180W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-247-3 |
封装/箱体 | TO-247-3 |
工厂包装数量 | 25 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 25 |
正向跨导-最小值 | 7.7 S |
漏源极电压(Vdss) | 600V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |