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  • 型号: 3LP01C-TB-E
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供3LP01C-TB-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3LP01C-TB-E价格参考。ON Semiconductor3LP01C-TB-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3LP01C-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3LP01C-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

3LP01C-TB-E 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源开关与负载切换,支持高效能与低功耗设计。

2. 电池供电设备:由于具备低导通电阻与小封装特点,适合用于电池管理系统中的充放电控制及保护电路。

3. DC-DC转换器:在同步整流型DC-DC转换器中作为高边开关使用,提升转换效率。

4. 电机驱动与继电器替代:可用于小型电机或电磁阀的控制,实现快速开关操作,减少机械磨损。

5. 工业控制与自动化:应用于PLC、传感器模块等工业设备中,执行信号切换或功率控制功能。

6. 汽车电子系统:如车身控制模块(BCM)、照明系统及车载充电装置中,满足车规级可靠性需求。

该器件采用小型SOT-223封装,便于散热设计并节省PCB空间,适用于需要高效能与紧凑布局的设计场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
Id-ContinuousDrainCurrent

- 100 mA

Id-连续漏极电流

- 100 mA

品牌

ON Semiconductor

产品目录

半导体

描述

MOSFET

产品分类

分离式半导体

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 3LP01C-TB-E

产品型号

3LP01C-TB-E

Pd-PowerDissipation

0.25 W

Pd-功率耗散

250 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

10.4 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

10.4 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

产品种类

MOSFET

商标

ON Semiconductor

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

10.4 Ohms

封装

Reel

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 100 mA

系列

3LP01C

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