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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供3LP01C-TB-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 3LP01C-TB-E价格参考。ON Semiconductor3LP01C-TB-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载3LP01C-TB-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有3LP01C-TB-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
3LP01C-TB-E 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET,常用于低电压、中等功率的开关应用。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源开关与负载切换,支持高效能与低功耗设计。 2. 电池供电设备:由于具备低导通电阻与小封装特点,适合用于电池管理系统中的充放电控制及保护电路。 3. DC-DC转换器:在同步整流型DC-DC转换器中作为高边开关使用,提升转换效率。 4. 电机驱动与继电器替代:可用于小型电机或电磁阀的控制,实现快速开关操作,减少机械磨损。 5. 工业控制与自动化:应用于PLC、传感器模块等工业设备中,执行信号切换或功率控制功能。 6. 汽车电子系统:如车身控制模块(BCM)、照明系统及车载充电装置中,满足车规级可靠性需求。 该器件采用小型SOT-223封装,便于散热设计并节省PCB空间,适用于需要高效能与紧凑布局的设计场景。
参数 | 数值 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 100 mA |
Id-连续漏极电流 | - 100 mA |
品牌 | ON Semiconductor |
产品目录 | 半导体 |
描述 | MOSFET |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor 3LP01C-TB-E |
产品型号 | 3LP01C-TB-E |
Pd-PowerDissipation | 0.25 W |
Pd-功率耗散 | 250 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.4 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10.4 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
产品种类 | MOSFET |
商标 | ON Semiconductor |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 10.4 Ohms |
封装 | Reel |
封装/箱体 | SOT-23-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | - 100 mA |
系列 | 3LP01C |