Datasheet下载- 型号： IXKN45N80C
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXKN45N80C由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXKN45N80C价格参考。IXYSIXKN45N80C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXKN45N80C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXKN45N80C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXKN45N80C是一款N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于需要高效能和高稳定性的电力电子设备中。其典型应用场景包括： 1. 电源转换器：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，适用于高电压和中高功率场合。 2. 电机驱动：用于工业自动化设备、电动工具、电动车电机控制器等，具备良好的导通损耗和开关损耗特性。 3. 逆变器系统：如太阳能逆变器、UPS不间断电源等，该器件耐压高（800V），适合高压直流母线环境。 4. 照明设备：用于高强度放电灯（HID）或LED照明的电源管理模块。 5. 工业控制与电源管理：如工业电源模块、电池充电器、储能系统等。 该MOSFET具有高击穿电压（VDS=800V）、大电流能力（ID=45A）、低导通电阻等特点，适合在高效率、高频率开关应用中使用。此外，TO-247封装具备良好的散热性能，适用于较严苛的工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227BMOSFET 45 Amps 800V |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXKN45N80CCoolMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXKN45N80C |
| Qg-GateCharge | 360 nC |
| Qg-栅极电荷 | 360 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 63 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 63 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 800 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.9 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 4mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 360nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 74 毫欧 @ 44A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 44A |
| 系列 | IXKN45N80 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Source |
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