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产品简介:
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安森美半导体(ON Semiconductor)的NTP18N06LG是一款N沟道增强型MOSFET,广泛应用于需要高效功率开关的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电池充电器等,因其低导通电阻和高效率特性,有助于提高电源系统效率并减少发热。 2. 电机控制:可用于直流电机驱动器、步进电机控制器等工业自动化设备中,提供快速开关和高电流承载能力。 3. 负载开关与继电器替代:适合用于高边或低边开关电路,控制大功率负载如灯、加热元件或风扇等。 4. 汽车电子:因其高可靠性和耐压特性,常用于汽车中的电源系统、车载充电器、电动助力转向系统等。 5. 工业控制与自动化:用于PLC、工业逆变器、伺服驱动器等设备中,作为功率开关元件。 6. 消费类电子产品:如高功率LED照明、智能家电中的电机或加热元件控制等。 该器件具有60V耐压、18A电流能力,采用TO-220封装,易于散热和安装,适合中高功率应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTP18N06LG |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 7.5A,5V |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | NTP18N06LGOS |
功率-最大值 | 48.4W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |