Datasheet下载- 型号： BLF7G27LS-140,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G27LS-140,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G27LS-140,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G27LS-140,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BLF7G27LS-140,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BLF7G27LS-140,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Ampleon USA Inc.的BLF7G27LS-140,118是一款高功率LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）射频（RF）MOSFET晶体管，主要应用于27MHz至1GHz频率范围内的射频功率放大场景。其典型应用场景包括： 1. 广播发射机：用于调频（FM）和电视广播（如DVB-T、ATSC）发射系统，作为高效率功率放大器，提供稳定的射频输出。 2. 工业加热设备：在感应加热、介质加热等工业应用中，BLF7G27LS-140作为射频能量源的核心组件，实现高可靠性和高效率的能量输出。 3. 医疗射频设备：用于某些医疗治疗设备中，如射频消融系统，提供精确可控的射频能量。 4. 测试与测量设备：在射频测试系统中作为信号放大器，支持通信设备、组件的性能评估与验证。 5. 通信基础设施：适用于专用无线通信系统、数字广播系统等，支持高线性度和高稳定性要求的射频放大需求。 该器件具有高输出功率（典型140W）、高效率和良好的热稳定性，适用于连续波（CW）或脉冲工作模式，适合需要高可靠性和高性能的工业与广播级应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS LDMOS SOT502B |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BLF7G27LS-140,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | SOT502B |
| 其它名称 | 934064594118 |
| 功率-输出 | 20W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 17dB |
| 封装/外壳 | SOT-502B |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 100 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 1.3A |
| 频率 | 2.6GHz ~ 2.7GHz |
| 额定电流 | - |
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