Datasheet下载- 型号： LET16060C
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供LET16060C由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 LET16060C价格参考。STMicroelectronicsLET16060C封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载LET16060C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有LET16060C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 LET16060C 是一款射频MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于射频功率晶体管类别，主要应用于高频、高效率的无线通信系统中。该器件适用于工作频率在数百MHz至数GHz范围内的射频功率放大场景。 典型应用场景包括：蜂窝通信基础设施中的基站功率放大器，如4G LTE和5G通信系统的宏基站与小基站；工业、科学和医疗（ISM）频段设备；以及高性能无线传输系统。LET16060C具备良好的功率增益、线性度和热稳定性，能够在高输出功率下保持高效运行，有助于降低能耗并提升系统可靠性。 此外，该器件也适用于需要高耐用性和稳定射频性能的领域，如广播传输设备、雷达系统及专用无线电通信设备。其封装设计有利于散热管理，适合长时间连续工作的严苛环境。 综上，LET16060C广泛用于现代通信基础设施中对高效率、高线性度射频功率放大的需求场景，尤其适合要求可靠性和性能稳定的中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | IC RF TRANS LDMOST N-CH M243射频MOSFET晶体管 RF PWR Trans LdMOST N-Ch 60W 13.8dB 1600 |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,STMicroelectronics LET16060C- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | LET16060C |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF Power Transistor |
| 供应商器件封装 | M243 |
| 其它名称 | 497-13097 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM1987/CL1989/SC1822/PF252554?referrer=70071840 |
| 功率-输出 | 60W |
| 功率耗散 | 100 W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13.8 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | M243 |
| 封装/箱体 | M243 |
| 工厂包装数量 | 25 |
| 技术 | LDMOS |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 25 |
| 汲极/源极击穿电压 | 80 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 80V |
| 电流-测试 | 400mA |
| 类型 | N Channel MOSFET |
| 系列 | LET16060 |
| 输出功率 | 60 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 15 V |
| 频率 | 1.6 GHz |
| 额定电流 | 12A |
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