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  • 型号: BLF7G24LS-160P,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BLF7G24LS-160P,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BLF7G24LS-160P,118价格参考。NXP SemiconductorsBLF7G24LS-160P,118封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BLF7G24LS-160P,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BLF7G24LS-160P,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Ampleon USA Inc. 的 BLF7G24LS-160P,118 是一款射频功率 MOSFET 晶体管,主要应用于射频(RF)功率放大领域。该器件特别适用于工作频率在 UHF 到微波频段(如 2.4 GHz 左右)的通信系统中。

其典型应用场景包括:

1. 无线通信基站:用于 4G LTE、5G 等蜂窝通信系统的射频功率放大器,提供高线性度和高效率的信号放大能力。

2. 广播发射设备:如数字广播(DAB、HD Radio)或电视广播发射机中的功率放大模块。

3. 工业与医疗射频设备:如射频加热、等离子体发生器、医疗治疗设备中的射频能量输出模块。

4. 雷达系统:用于短距离雷达或气象雷达中的射频信号放大。

5. 测试与测量仪器:如射频信号发生器或功率放大器模块,用于实验室或生产测试环境。

该器件具备高功率密度、良好热稳定性和高可靠性,适合在要求高性能和稳定性的射频功率应用中使用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

TRANSISTOR RF POWER LDMOST

产品分类

RF FET

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BLF7G24LS-160P,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

SOT539B

其它名称

934066343118

功率-输出

30W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

18.5dB

封装/外壳

SOT539B

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

100

电压-测试

28V

电压-额定

28V

电流-测试

1.2A

频率

2.3GHz ~ 2.4GHz

额定电流

-

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