【未分类_MRF166C】封装/厂家_MRF166C中文资料_价格

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型号： MRF166C
制造商： M/A-COM
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF166C由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF166C价格参考。M/A-COMMRF166C封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MRF166C参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF166C 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

M/A-Com Technology Solutions（现为MACOM的一部分）生产的MRF166C是一款射频晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该型号主要应用于高频射频功率放大器领域，具有以下典型应用场景：

 1. 无线通信系统
   - MRF166C适用于VHF/UHF频段的无线通信设备，如对讲机、中继站和基站。它能够提供高效的射频功率输出，确保信号传输的稳定性和可靠性。
   - 在业余无线电（HAM Radio）中，该晶体管可用于构建高效率的功率放大器，以扩展通信距离。

 2. 广播设备
   - 用于FM广播发射机的功率放大阶段，支持高质量音频信号的放大与传输。
   - 其高线性度和低失真特性使其适合广播应用，确保音频质量不受损害。

 3. 工业、科学和医疗（ISM）领域
   - 在ISM频段内，MRF166C可用于各种射频能量应用，例如射频加热、等离子体生成和医疗设备中的能量传输。
   - 它的高功率处理能力使其成为这些应用的理想选择。

 4. 测试与测量设备
   - 在实验室环境中，该晶体管可用于构建射频信号源或功率放大器，支持测试设备的研发与校准。

 5. 雷达系统
   - MRF166C可用于小型雷达系统的功率放大模块，提供足够的射频功率以实现目标探测。

 技术特点
- 工作频率范围宽，覆盖VHF至UHF频段。
- 高功率增益和效率，适用于需要大功率输出的应用。
- 良好的热性能和稳定性，能够在严苛环境下工作。

综上所述，MRF166C是一款专为射频功率放大设计的高性能晶体管，广泛应用于通信、广播、ISM设备以及测试测量等领域。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	FET RF N CH 28V 50MA 319-07射频MOSFET晶体管 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB
产品分类	RF FET分离式半导体
Id-ContinuousDrainCurrent	4 A
Id-连续漏极电流	4 A
品牌	MACOMM/A-Com Technology Solutions
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF166C-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MRF166CMRF166C
Pd-PowerDissipation	70 W
Pd-功率耗散	70 W
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	65 V
Vds-漏源极击穿电压	65 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	+/- 20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
产品种类	射频MOSFET晶体管
供应商器件封装	319-07， 3 型
其它名称	1465-1161
功率-输出	20W
功率耗散	70 W
包装	托盘
商标	MACOM
噪声系数	-
增益	16dB13.5 dB
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
封装/外壳	319-07
封装/箱体	Case 319-07
工厂包装数量	30
晶体管极性	N-Channel
晶体管类型	N 通道
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 65 C
标准包装	20
汲极/源极击穿电压	65 V
漏极连续电流	4 A
电压-测试	28V
电压-额定	65V
电流-测试	25mA
输出功率	20 W
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 20 V
频率	500 MHz30MHz ~ 500MHz
额定电流	4A