Datasheet下载- 型号： MRFG35005ANT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFG35005ANT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFG35005ANT1价格参考。Freescale SemiconductorMRFG35005ANT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRFG35005ANT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFG35005ANT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 MRFG35005ANT1 的 NXP USA Inc. 射频 MOSFET 晶体管，主要应用于 高功率射频放大器 场景，特别是在 无线通信基础设施 中。该器件适用于 基站功率放大器，如 4G LTE 和 5G 通信系统中的射频前端模块，提供高线性度和效率，满足现代通信对高数据速率和频谱效率的需求。 此外，MRFG35005ANT1 还广泛用于 工业和商业射频设备，如广播发射机、雷达系统和测试测量仪器。其高耐用性和优异的热稳定性，使其在复杂电磁环境和高温工作条件下仍能保持稳定性能。 该器件采用 增强型 MOSFET 工艺，具备高增益、低失真和良好的抗失配能力，适用于频率范围在 UHF 到微波频段的应用。其封装形式（如表面贴装的 DFN 封装）便于自动化生产和良好的散热管理，适合高密度 PCB 设计。 总之，MRFG35005ANT1 主要应用于 高性能射频功率放大 领域，尤其适合对效率、线性度和可靠性要求较高的无线通信和工业射频系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANSISTOR RF 4.5W 12V PLD-1.5 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFG35005ANT1 |
| PCN封装 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN15687.htm |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | PLD-1.5 |
| 功率-输出 | 4.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11dB |
| 封装/外壳 | PLD-1.5 |
| 晶体管类型 | pHEMT FET |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-测试 | 12V |
| 电压-额定 | 15V |
| 电流-测试 | 80mA |
| 频率 | 3.55GHz |
| 额定电流 | 1.7A |
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