Datasheet下载- 型号： AFT26H250W03SR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AFT26H250W03SR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AFT26H250W03SR6价格参考。Freescale SemiconductorAFT26H250W03SR6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载AFT26H250W03SR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AFT26H250W03SR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
AFT26H250W03SR6 是 NXP USA Inc. 生产的一款射频功率 MOSFET 晶体管，主要用于高频、高功率的射频应用。该器件适用于 26 MHz 至 500 MHz 的频率范围，具备高功率增益和高效率，适合用于工业、科学和医疗（ISM）频段以及广播通信设备。 典型应用场景包括： 1. 射频功率放大器：广泛用于无线通信基站、广播发射机等设备中，作为高效功率放大的核心元件。 2. 工业加热设备：如感应加热系统，用于金属加热、熔炼、热处理等工业过程。 3. 医疗射频设备：用于高频电外科设备、射频消融等医疗仪器中。 4. 测试与测量仪器：用于射频信号发生器、功率放大模块等测试设备中。 5. 军用与通信系统：适用于需要高可靠性和高稳定性的射频发射系统，如战术通信设备、雷达模拟器等。 该器件采用坚固的封装设计，具有良好的热稳定性和高耐用性，适合连续高功率运行环境。其高增益和低失真特性使其在多种射频功率应用中表现出色。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | FET RF NCH 65V 2690MHZ NI1230S-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | AFT26H250W03SR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | NI-1230S-4 |
| 功率-输出 | 50W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 14.1dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S-4 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 28VDC |
| 电压-额定 | 65VDC |
| 电流-测试 | 700mA |
| 频率 | 2.5GHz ~ 2.69GHz |
| 额定电流 | 10µA |
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