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  • 型号: MRF8P9040NBR1
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8P9040NBR1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8P9040NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF8P9040NBR1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF8P9040NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF8P9040NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为MRF8P9040NBR1的射频MOSFET晶体管,主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在800MHz至900MHz频段,具备高功率密度、高效率和良好热稳定性的特点,因此广泛用于通信基础设施中,如蜂窝基站、广播系统和工业设备中的射频能量放大模块。

具体应用场景包括:

1. 蜂窝通信基站:用于4G LTE及5G前传基站中的射频功率放大器,以增强信号传输距离和覆盖范围。
2. 广播发射系统:如FM广播或电视广播中用于信号放大,提供稳定、高线性的输出。
3. 工业与测试设备:用于射频测试仪器、信号发生器等设备中,作为高功率射频信号输出的关键元件。
4. 雷达与航空通信:在需要高可靠性和高稳定性的系统中,作为射频信号放大元件使用。

该器件采用高耐用性的封装设计,支持高电压和大电流工作条件,适合在复杂电磁环境和高温环境下稳定运行。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET RF N-CH 28V TO272-4

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MRF8P9040NBR1

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

TO-272-4

功率-输出

4W

包装

带卷 (TR)

噪声系数

-

增益

19.1dB

封装/外壳

TO-272-4

晶体管类型

N 通道

标准包装

500

电压-测试

28V

电压-额定

70VDC

电流-测试

320mA

频率

700MHz ~ 1GHz

额定电流

-

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