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产品简介:
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型号为MRF8P9040NBR1的射频MOSFET晶体管,主要应用于射频功率放大领域。该器件适用于工作频率在800MHz至900MHz频段,具备高功率密度、高效率和良好热稳定性的特点,因此广泛用于通信基础设施中,如蜂窝基站、广播系统和工业设备中的射频能量放大模块。 具体应用场景包括: 1. 蜂窝通信基站:用于4G LTE及5G前传基站中的射频功率放大器,以增强信号传输距离和覆盖范围。 2. 广播发射系统:如FM广播或电视广播中用于信号放大,提供稳定、高线性的输出。 3. 工业与测试设备:用于射频测试仪器、信号发生器等设备中,作为高功率射频信号输出的关键元件。 4. 雷达与航空通信:在需要高可靠性和高稳定性的系统中,作为射频信号放大元件使用。 该器件采用高耐用性的封装设计,支持高电压和大电流工作条件,适合在复杂电磁环境和高温环境下稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V TO272-4 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF8P9040NBR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-272-4 |
| 功率-输出 | 4W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 19.1dB |
| 封装/外壳 | TO-272-4 |
| 晶体管类型 | N 通道 |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 70VDC |
| 电流-测试 | 320mA |
| 频率 | 700MHz ~ 1GHz |
| 额定电流 | - |